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大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法

855   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:17:29
本发明涉及一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法,采用化学气相沉积法和双温区管式炉,以Si/SiO2为基板,采用MoO3作为钼源,硫粉作为硫源,硒粒作为硒源,得到面积为1000-1200平方微米的单层硒掺杂二硫化钼薄膜材料。将基片置于盛有钼源的瓷舟之上,将瓷舟置于双温区管式炉的下温区;将盛有硫源和硒源的瓷舟置于双温区管式炉上温区,其中硫源和硒源的质量S : Se为0.25-4:1,并将双温区管式炉封装起来。本发明制备方法简便易操作、时间短、重复性好,对仪器设备要求低。制备硒掺杂二硫化钼的薄膜面积增大了一个数量级,有明显的优势,制备所得到的薄膜材料有望应用到光开关、光电晶体管、光探测器等领域。
声明:
“大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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