本发明公开了一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法,该方法至少包括以下步骤:(1)切片;(2)倒角;(3)双面磨削;(4)单面化学腐蚀或单面磨削,去除硅片正面损伤层;(5)边缘抛光;(6)双面抛光;(7)在硅片正面和背面都沉积
多晶硅;(8)边缘二次抛光;(9)正面多晶抛光去除;(10)最终抛光;(11)清洗检测。本发明结合300mm硅片的制造过程提出了一种新的硅片加工方法,通过磨削加工引入背面损伤和背面薄层多晶沉积相结合的方式,达到外吸杂的目的。通过本发明的方法加工的300mm硅片既能满足双面抛光的要求,同时能够获得可控的背面损伤层,避免了背面多晶沉积较厚时对硅片翘曲度的影响。
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