一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法,属于半导体氧化物气敏材料领域。本发明利用化学气相沉积法在SnO2纳米颗粒表面通过乙炔气体分解制备碳包覆的SnO2纳米颗粒,后经退火处理调控表面碳材料的构成和形貌,得到气敏性能显著增强的碳修饰的纳米SnO2气敏材料。本发明首次将碳修饰的纳米SnO2材料应用于气体检测方向,相对于其他提高气敏材料性能的方法,如溅射或蒸发制备金属氧化物半导体薄膜、溶胶凝胶法制备具有特殊微结构形貌的纳米颗粒、修饰掺杂贵金属Pt、Pd、Au等方法,本发明具有方法简单、成本低廉的优点,且得到的碳修饰的SnO2纳米气敏材料的气敏性能有显著的提高,在气敏材料领域具有广泛的应用前景。
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