合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 锗基半导体的拉曼散射增强基底及其制备方法和应用

锗基半导体的拉曼散射增强基底及其制备方法和应用

1006   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:04:04
本发明涉及具有良好生物兼容性的锗基半导体的拉曼散射增强基底和制备方法,以及用这种基底进行溶液中罗丹明6G分子的检测。本发明用化学刻蚀的方法,在单晶硅基片表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列,并除去在刻蚀过程中作为副产物生成在硅纳米线阵列顶端的絮状银枝杈;然后用热蒸发的方法在硅纳米线阵列上制备锗纳米管阵列;最后在锗纳米管表面修饰上大量的Ge-H键。所述的基底中不含有贵金属银;所述的锗纳米管表面修饰有大量的Ge-H键。本发明首次成功地实现了不使用任何贵金属而仅用半导体锗材料制备出了具有良好生物兼容性的锗基半导体的拉曼散射增强基底。
声明:
“锗基半导体的拉曼散射增强基底及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

2024退役新能源器件循环利用技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记