本发明公开了一种表面内嵌微纳结构增透层的可见光LED
芯片及制备方法,通过在衬底上逐层形成缓冲层、N型层、量子阱层、P型层和微结构增透层,然后在P型层和微结构增透层上形成透明导电层,微结构增透层为TiO
2,或TiO
2/SiO
2复合膜,或TiO
2/SiO
2多层膜;通过利用TiO
2对可见光高透且良好的化学稳定性,利用低折射率的SiO
2与高折射率的TiO
2材料进行膜层结构光学设计与分析,在达到折射率要求的同时,兼顾透射率的要求,结合微纳模板及刻蚀技术在表面形成内嵌式微纳结构增透层,再覆盖兼具电流扩展及增透作用的透明导电层,制备得到的LED,其表面光提取效率大大提升,发光效率明显改善。
声明:
“表面内嵌微纳结构增透层的可见光LED芯片及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)