合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 高阶芯片反向去层方法

高阶芯片反向去层方法

1023   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:57:13
本发明公开了一种高阶芯片反向去层方法,所述的高阶芯片为45nm芯片,其特征在于,所述的高阶芯片包括基板以及自下而上制备于所述基板上的金属层,所述的金属层包括第一层金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层,采用干法蚀刻方法自上而下依次蚀刻所述第八金属层、第七金属层、第六金属层、第五金属层、第四金属层、第三金属层、第二金属层和第一金属层。通过上述,本发明采用干法刻蚀可避免芯片接触化学溶液,不会造成芯片的金属层大面积击穿,保留金属层的完整,可以保证上层金属去除后能完整的保留下一层整层的金属且两层金属间的金属线可以清楚呈现,可以有利于后期电路分析。
声明:
“高阶芯片反向去层方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记