本发明公开了一种铕、铥共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法,所述电子俘获型光存储材料的化学式为Sr
1‑y‑xAl
2Si
2O
8:yEu
2+,xTm
3+,其中,0.001≤y≤0.04,0.005≤x≤0.08。本发明所述的制备方法为高温固相法,原料简单易得,价格低廉,适用于批量大规模生产。本发明制备的光存储材料与以往材料相比,性能极大提升,在光存储性能测试中,共掺杂样品的光激励发光初始强度与单掺杂Eu
2+相比均有明显提高,既适用于新型在近紫外被宽带激发的白光LED蓝光荧光粉,也是一种高性能的光信息存储材料,适于在医疗检测、电子通讯、电子显微镜照相和信息存储等多个应用领域。
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“铕、铥共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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