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L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法

907   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:45:50
本发明涉及分析化学材料制备技术领域,具体涉及L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法。一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法,将ITO导电玻璃划成4.0cm×0.5cm的长方形,依次用稀氨水、无水乙醇、亚沸水各超声清洗10min;采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜。将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在HClO4溶液中,12h后取出,并在烘箱中放置1h,制得纳米多孔金膜电极。将纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/LL-半胱氨酸水溶液中,在4℃冰箱中保存约2h后取出,冲洗干净并用高纯氮气吹干,即制得L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。本发明采用电化学沉积金银合金及去合金化法在ITO电极表面制备了纳米孔金膜,电极制备方法简单,孔膜结构及表面积可由电沉积条件调控。
声明:
“L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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