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基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极

960   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:41:40
一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极,由硼掺杂金刚石薄膜、氨基单分子层和酶膜层构成;其制备方法是:首先将钽片经表面预处理后,利用热丝CVD设备在钽片上沉积掺硼金刚石薄膜,然后对掺硼金刚石薄膜进行氨基化修饰,最后在氨基化的金刚石薄膜表面采用化学交联法固定抗坏血酸氧化酶;该电极可用于电化学生物传感器。本发明的优点是:该抗坏血酸氧化酶传感器电极检测限达1×10-11mol/L,且由于继承了金刚石耐腐蚀、极高的析氧过电位、宽的电势窗口、较高电化学的稳定性等优点,决定了该电极灵敏度高、重现性好、寿命长。
声明:
“基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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