本发明提出的一种减少浅沟槽隔离缺陷的工艺方法,该工艺步骤如下:1)进行有源区氧化物沉积,氮化硅(SIN)沉积,形成衬底;2)进行浅沟槽隔离(STI)刻蚀;3)进行浅沟槽隔离(STI)内衬氧化物层沉积;4)进行含氮的等离子体处理;5)进行浅沟槽隔离(STI)高密度等离子体沉积;6)进行透射电镜(TEM)空洞检测;7)如检测结果不符合要求,则对工艺参数进行调整,再次实施步骤(5)浅沟槽隔离(STI)高密度等离子体沉积;如检测结果符合要求,则确认工艺参数,确定工艺流程。本发明的工艺方法可缩短高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)填充浅沟槽隔离(STI)的工艺调整周期,非常适于实用。
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