合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 以部分氧化多孔硅为基础之装置及其制造方法

以部分氧化多孔硅为基础之装置及其制造方法

589   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:41:39
本发明是关于一种装置,其包含以硅为基处的一 平面设计的巨孔支撑材质,其具有多数孔洞,其直径范围是自 500奈米至100微米,其是分布于至少一表面区域上,且自该 支撑材质的一表面延伸至对面表面,其中该装置具有至少一区 域,其包含具有二氧化硅(SiO2) 孔壁的一或多孔洞,以及其中此区域是由具硅内核的壁之框架 所环绕,其配置主要是平行于该孔洞之纵轴,且是开放朝向该 表面,其中该硅内核是并入朝向形成该框架的壁外侧之剖面区 域上的二氧化硅。根据本发明之装置,其是用于侦测生物化学 (键结)反应方法中的“生物芯片基础模块”的适当基础,且特 别适用于研究酵素反应、核苷酸杂交、蛋白质-蛋白质交互作 用以及生物与医学中其它在基因体、蛋白质体或活化剂研究中 的其它键结方法。
声明:
“以部分氧化多孔硅为基础之装置及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记