本发明公开的属于
太阳能电池技术领域,具体为一种新型背腐蚀刻边工艺,该新型背腐蚀刻边工艺包括如下步骤:S1:制绒:对晶硅片表面进行预清洗并干燥,然后采用酸液对晶硅片进行腐蚀,将多晶表面做成凹坑状,得到陷光性能良好的绒面;S2:扩散;S3:背腐蚀;S4:镀减反射膜:在晶硅片的表面采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积减反射膜;S5:丝网印刷金属化;S6:烧结:把晶硅片放入烧结炉中,烧结温度控制在300‑900摄氏度,烧结时间为58‑62秒,S7:分类检测、测试、包装,提高了电池的效率,节省了化学原料,边缘无刻边,背面腐蚀均匀,避免气泡和腐蚀不均匀带来的影响,大大降低了破片率,工艺简单,成本低廉。
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我是此专利(论文)的发明人(作者)