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聚吡咯表面修饰硅纳米线气敏元件及其应用

765   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:36:48
本发明公开聚吡咯表面修饰硅纳米线气敏元件及其应用,利用化学刻蚀处理单晶硅片,以使单晶硅片表面产生垂直于单晶硅片表面的一维硅纳米线阵列;将引发剂溶液和吡咯单体溶液先后旋涂在经步骤2处理的单晶硅片,以使在一维硅纳米线阵列中原位引发吡咯聚合成聚吡咯,形成具有聚吡咯表面修饰一维硅纳米线阵列的单晶硅片,实现对NH3气体在室温下的瞬时检测,并且具有良好的选择性。
声明:
“聚吡咯表面修饰硅纳米线气敏元件及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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