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基于一维半导体纳米结构的光电传感器及其制作方法

1003   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 07:33:27
本发明涉及的基于一维半导体纳米结构的光电传感器和制作方法,包括:一单晶硅片式基体;依次通过热氧化法生长于单晶硅片式基体表面上的二氧化硅层和采用低压化学气相沉积法或等离子增强化学气相沉积法淀积在二氧化硅层表面上的氮化硅层;二氧化硅层和氮化硅层构成绝缘层;还包括:通过光刻/离子刻蚀法制备于绝缘层表面上的由第一梳式电极和第二梳式电极构成的梳式电极对;电极对的多梳齿端相对放置,之间组装有一维半导体纳米结构;有益效果:微电极对的制作为标准微加工工艺,方法简单;一维半导体纳米结构尺寸小,表面积/体积比大,光电效率高,且简单的电泳组装可实现批量生产;该光电传感器尺寸小,灵敏度高,能用于光检测、光开关等。
声明：
“基于一维半导体纳米结构的光电传感器及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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