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监控晶圆缺陷的方法

664   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:33:26
本发明是关于一种监控晶圆缺陷的方法。该方法是首先提供一晶圆,该晶圆上存在有一缺陷,接着进行一化学处理步骤,以扩大晶圆上的缺陷,之后在晶圆上形成一共形材料层,然后使用扫描仪器找出晶圆上的缺陷。本发明因为采用化学处理步骤,以扩大晶圆上的缺陷处,因此可以彰显晶圆上的缺陷处,突破了现有的扫描仪器的侦测极限,能够及早反应出产品上小于奈米级以下的缺陷,不需额外添购昂贵的扫描仪器,即可达到比原先只利用扫描仪器例如是亮场检知器(Bright field inspector)更好的效果。
声明:
“监控晶圆缺陷的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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