本发明涉及一种冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极的制备方法,其采用化学沉积‑电沉积方法在孔径为80~200 nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金,得到三维金纳米柱阵列电极;在三维金纳米柱阵列电极表面通过循环伏安法电聚合修饰聚硫堇,形成聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极;在聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极上结合戊二醛,再将冈田酸抗体固定到戊二醛上,形成冈田酸抗体/戊二醛/聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极;最后用牛血清蛋白封闭电极,制得冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极。本发明电极具有三维结构,表面积大,制备简单,稳定性好,抗体固定牢固,操作简便,检测限低,灵敏度高,可实现快速检测。
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