本发明公开了一种利用高温回转炉生长高质量拓扑半金属InBi单晶的方法,块体是In、Bi元素以1:1化学计量比形成的化合物,是具有第二类狄拉克点的拓扑半金属材料,通过低场磁输运测试,块体单晶具有大的载流子浓度1018cm‑3和高迁移率,14T未饱和磁阻MR的值到达12000%,低温1.5K、高场60T出项明显振荡;同时角分辨光电子能谱(ARPES)和X射线衍射光谱仪(XRD)的表征,证明了其很高的质量,ARPES分析在ΓXΓ和MXM方向上发现2条nodal‑line。制备方法是高温融合后,以1℃/min的速率缓慢降温至室温结晶形成大块单晶,所获得的单晶表征ARPES和XRD信号均与文献记载相吻合,确定为高质量的块体,同时材料制备参数易调整,设备简单,易操作,生长过程可控,工艺重复性好,具有较高的制备效率。
声明:
“高质量的拓扑半金属InBi生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)