本发明适用于金属有机物化学气相沉积领域,公开了MOCVD反应室压力控制系统即压力控制方法,其中MOCVD反应室压力控制系统,包括压力检测单元、分析单元和执行模组,执行模组包括均与反应室连通的进气单元和尾气单元,尾气单元包括至少两组排气组件,每组排气组件均包括与反应室连通的排气管路、与排气管路连接的泵体、以及设置在排气管路与泵体之间的调节阀,压力检测单元用于检测反应室的实时压力,MOCVD反应室压力控制系统通过控制进气单元是否参与工艺运行过程以及通过控制尾气单元哪组排气组件参与工艺运行过程来使反应室的实时压力与设定压力基本保持一致,从而为反应室提供稳定的气场流,进而提高外延材料的厚度和组分均匀性。
声明:
“MOCVD反应室压力控制系统及压力控制方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)