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基因芯片用钽掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法

880   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 07:29:13
本发明涉及一种钽掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法,通过使用钽掺杂氧化锡溅射靶材,利用磁控溅射法在普通载玻片或单晶硅片上制备出钽掺杂氧化锡薄膜,然后对薄膜进行羟基化、氨基硅烷化、醛基化修饰,制得醛基修饰的基因芯片用钽掺杂氧化锡薄膜载体材料。本发明制备的载体材料具有表面平坦致密、厚度均匀、活性基团密度高、亲水性能好、化学稳定性高、电阻率低以及生物相容性好等特性,能够实现对生物信号的高灵敏度、高可靠性和强特异性无标记电学检测、识别与分析,可以适于采用无标记电学检测技术的基因芯片。本发明还具有制备工艺简单易行,成本低廉,易于实现工业化生产的特点。
声明：
“基因芯片用钽掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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