本发明公开了一种硫化氢气体的半导体传感器及测试电路,其传感器的前驱体采用化学方法制备的三氧化钨
纳米材料,然后在表面上修饰氧化铜纳米颗粒的复合结构。气敏元件采用旁热式结构,该器件在55℃时,其灵敏度为105,并具有很好的选择性。通过单脉冲调制电压,响应恢复时间可以控制在65秒以内。本发明的传感器具有高灵密度、高选择性、并在低温下实现快速的响应、恢复。
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