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铋硒硫半导体、制备及广谱、超快偏振光电探测器

966   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:29:08
本发明提供了一种铋硒硫半导体、制备及广谱、超快偏振光电探测器。该铋硒硫半导体为晶体,铋硒硫半导体的化学结构式为BixSeySz,其中,1≤x≤2,0<y≤3,0<z≤3,且3x=2y+2z。上述的铋硒硫半导体中,Bi2Se3半导体具有正交晶系结构,通过将S掺杂到Bi2Se3中,生长出BixSeySz半导体。相比Bi2Se3半导体,BixSeySz半导体的能带结构得到优化和丰富,因此,以其构建的光电器件暗电流较低,探测范围更广,有助于实现光电器件的高性能。
声明:
“铋硒硫半导体、制备及广谱、超快偏振光电探测器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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