本发明公开了一种集成
多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法,制作方法包括:在高导砷化镓衬底上,通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构,完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层,以及集成多晶硅超表面结构,可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题,在保证晶体质量的前提下,达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的,提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法,避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解,提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
声明:
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