合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法

集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法

669   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:29:08
本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法,制作方法包括:在高导砷化镓衬底上,通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构,完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层,以及集成多晶硅超表面结构,可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题,在保证晶体质量的前提下,达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的,提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法,避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解,提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
声明:
“集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记