本实用新型的一个实施例涉及一种用于处理半导体晶片的半导体处理设备,所述设备包括:多个抛光模块,每个抛光模块包括:接口,用于接收指定如何处理所述半导体晶片的至少一个参数;内建度量设备,被配置用于测量所述半导体晶片的至少一个性质;控制器,被配置用于:从所述内建度量单元接收所述半导体晶片的所述至少一个性质;为每个抛光模块生成指定如何处理所述半导体晶片的至少一个相应参数;并且向所述多个抛光模块中的每个抛光模块发送所述至少一个相应参数。
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