本发明公开了一种金属/
石墨烯/多晶金刚石膜粒子探测器制备方法,属于核物理技术领域,其步骤为先于Ar和H2等离子体气氛中700‑800℃温度范围对金属基体进行热处理,再关闭Ar通入CH4,调节微波功率于600‑700℃的金属基体表面生长石墨烯层,最后再调节H2、CH4比例、微波功率及铜箔温度,在800‑900℃基体温度范围、1.66~4.50%的甲烷浓度条件下生长0.25~0.5 mm厚的高质量多晶金刚石膜,形成基于金属+石墨烯欧姆接触电极的金刚石粒子探测器;上述步骤优选在同一套微波等离子体化学气相沉积装置中完成,在同一套装置中通过原位连续生长构建探测器整体结构,材料不需在不同设备间转移,本发明的方法制备效率高、步骤简便、成本低,且能保证各层材料制备的高质量。
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