MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器,采用双温区化学气相沉积方法制备MgZnO纳米线阵列,由此获得MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器,其响应度高于现有MgZnO纳米线紫外光电探测器,属于半导体光电技术领域。本发明之MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器下电极位于硅衬底背面,MgZnO纳米线分布在硅衬底正面,上电极位于MgZnO纳米线上面,并与MgZnO纳米线欧姆接触,其特征在于,所述MgZnO纳米线竖直等高、整齐分布,构成MgZnO纳米线阵列。本发明用于环境污染监控、火焰光电探测、紫外预警以及通讯等领域。
声明:
“MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)