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折射面入光探测器的制作方法

1053   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:27:48
一种折射面入光探测器的制作方法,制作过程包括如下步骤:步骤1: 在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构;步骤2:在探测器材料 结构的上面制作p型欧姆接触;步骤3:在p型欧姆接触的周边向下刻蚀, 形成探测器台面结构;步骤4:在步骤3形成的器件的上表面生长第一SiO2 层;步骤5:在探测器台面结构的一侧腐蚀掉部分第一SiO2层,形成条形 掩模图形结构;步骤6:在掩膜图形结构上,采用化学腐蚀的方法,向下 腐蚀出燕尾槽;步骤7:腐蚀掉器件表面的第一SiO2层,重新在整个器件 的表面生长第二SiO2层;步骤8:在燕尾槽中填入聚合物,使得材料表面 平整;腐蚀掉p欧姆接触上的第二SiO2层;步骤9:在探测器台面结构的 一侧制作p型金属电极;步骤10:将衬底减薄,在衬底的背面制作金属电 极;步骤11:清除掉燕尾槽中的聚合物,解理芯片,完成整个器件的制作。
声明:
“折射面入光探测器的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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