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宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法

913   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:27:47
本发明公开了一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法。采用InP衬底和背照射结构。自衬底起依次包含InP腐蚀牺牲层,InGaAs腐蚀牺牲层,重掺杂InP腐蚀截止层,InGaAs吸收层,能带递变层,电荷层,重掺杂接触层,铟柱及读出电路;还公开了一种制造所述探测器的方法,主要步骤为:1)产生与读出电路互联的雪崩焦平面模块;2)机械研磨抛光InP衬底层;3)化学腐蚀掉InP牺牲层;4)化学腐蚀掉InGaAs牺牲层。本发明的优点在于实现InGaAs雪崩焦平面对400‑1700nm可见及近红外波段的宽光谱响应,控制精度高、损伤低。
声明:
“宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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