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半导体硫化锑纳米晶及其制备方法和光催化产氢性能测试方法

829   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:27:47
本发明属于纳米光催化技术领域,涉及半导体硫化锑(Sb2S3)纳米晶及其制备方法和光催化产氢性能的测试方法,其化学式为:Sb2S3,分子量为339.68,结构为正交晶系,空间群号:Pcmn(62);其晶体颗粒呈无规则球形状,晶体颗粒大小分布较窄为6.5nm~11.5nm,高斯拟合后得出平均尺寸为8.67nm,且化学成分比较均匀、结构单一,表面纯净,半导体硫化锑纳米晶的直接带隙值约为1.74eV本发明的有益效果在于:使用的机械合金法属于一种物理合成方法,相比于化学制备方法具有操作简便、设备价格低廉、对环境没有污染、易于大规模生产等优势。
声明:
“半导体硫化锑纳米晶及其制备方法和光催化产氢性能测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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