本发明涉及一种基于红外吸收光谱的高岭石羟基插层/接枝率测试方法,包括以下步骤:(1)溴化钾压片法制备样品;(2)利用拟合方法将高岭石的中红外光谱的羟基混合峰拟合为4个单峰,(3)以特征峰在3620.0cm
‑1的单峰为参考峰,以特征峰在3650.0cm
‑1附近,3668.0cm
‑1附近,3694.8cm
‑1附近三个单峰之一为定量峰;分别测试高岭石原矿样品和待测样品参考峰峰面积和定量峰的峰面积;设置相关系数
根据公式
计算得到样品矿石的羟基接枝率。采用本发明方法可以快速,准确的利用中红外光谱测试高岭石的羟基插层/接枝率,对高岭石的化学行为研究,纳米形貌改造,矿物定量改性方法研究具有重要的意义。
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“基于中红外吸收光谱的高岭石羟基插层/接枝率测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)