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异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法

813   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:27:10
本发明涉及一种异质外延生长的氮化镓晶体的 位错密度的测定方法,特征在于用光辅助湿法刻蚀结合原子力 显微镜对刻蚀的表面位错腐蚀坑密度统计,测出GaN外延层 的位错密度;其具体测定步骤是:(1)先按照异丙醇、丙酮、乙 醇的顺序对GaN样品进行化学清洗清洗后用大量去离子水洗净,用高纯N2吹干;(2)将样品用石蜡或夹子固定在载玻片上,放入盛有1-10M KOH溶液中,采用磁子搅拌,在Cd-He激光器提供的激光照射下,进行湿法刻蚀,时间为5-10分钟;(3)取出刻蚀样片,用去离子水清洗,高纯N2吹干,然后用原子力显微镜,进行刻蚀表面的位错腐蚀坑统计,估算出GaN外延层的位错密度。本发明提供的位错密度测定方法可靠、有效,与其它方法,如XRD位错密度估算方法相比,一致性好。
声明:
“异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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