本发明涉及一种检测氧化堆垛层错的方法,所属硅片检测技术领域,包括先对硅片进行退火处理,硅片的氧化退火在氧化退火炉上进行,将硅片置于碳化硅舟上,在750℃下碳化硅舟进入,在1100℃温度下,通入氧气和氢气合成的高温水汽。经过一小时化学反应后,降温碳化硅舟推出,冷却至室温后取下硅片。将硅片使用X射线形貌术进行氧化堆垛层错测试。硅片退火后,使用X射线形貌术测量得到的形貌图中若显示实心圆状或环状深灰色阴影,即代表此处有氧化堆垛层错存在。具有稳定性好、无损伤和无污染的特点。解决了择优腐蚀液含有重金属铬对环境和人体有害的问题。
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