本申请涉及一种半导体机台的气密性检测方法。所述半导体机台的气密性检测方法包括如下步骤:形成测试
芯片,所述测试芯片包括衬底以及位于所述衬底上的测试膜层,所述测试膜层中具有测试图案,所述测试膜层具有化学反应活性;获取所述测试图案的第一特征尺寸;放置所述测试芯片至半导体机台内部;于所述半导体机台内部建立真空环境;获取自所述半导体机台内部取出后的所述测试图案的第二特征尺寸;判断所述第一特征尺寸是否大于所述第二特征尺寸,若是,则确认所述半导体机台的气密性差。本申请缩短了半导体机台气密性检测的时间,降低了半导体机台气密性检测的成本,并提高了半导体机台气密性检测的准确度。
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