本发明属于光
电化学检测技术领域,公开了一种光电传感器的制备方法及其在铜离子检测中的应用。将导电基底经预处理后加入到含有钛酸四丁酯的盐酸溶液中,水热合成制备得到TiO2纳米棒阵列,将所得产物经洗涤、干燥后在300‑450℃及空气气氛下焙烧0.5‑3h,然后在300‑450℃温度下以及氢气和惰性气体的混合气氛中氢化处理0.5‑3h,得到氢化的TiO2纳米棒阵列基底,再将其浸泡于含有Cd2+的溶液和硫脲的溶液中,化学沉积得到CdS薄膜,升温至380‑410℃焙烧1‑2h,得到所述光电传感器。本发明的光电传感器可用于铜离子的特异性检测,具有检测范围宽、检测限低的优点。
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“光电传感器的制备方法及其在铜离子检测中的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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