本发明公开了一种准单晶硅片微缺陷的检测方法,包括如下步骤:(1)手动机械抛光:将待腐蚀的准单晶硅片进行手动机械抛光,并用去离子水冲洗;(2)化学腐蚀抛光:将机械抛光清洗后硅片进行化学腐蚀抛光,用去离子水进行冲淋;(3)微缺陷的择优腐蚀:将化学腐蚀抛光后硅片进行微缺陷的择优腐蚀,用去离子水进行冲淋,烘箱内干燥;(4)微缺陷观察方法:将腐蚀后硅片进行少数载流子寿命和铁-硼对面扫描;结合金相显微镜观察少数载流子寿命扫描颜色分布,对缺陷部位进行精确定位,按缺陷类型进行分类,定位将硅片切割成小片,做好标记;有益效果:本发明的测试方法快速准确,节能环保,无污染,实用性强。
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