本发明提供了一种净化间环境检测方法,至少包括如下步骤:提供一化学放大光刻胶;然后,对所述化学放大光刻胶进行曝光及曝光后烘烤;待所述化学放大光刻胶上因曝光而产生的光酸与净化间内空气接触后,在所述化学放大光刻胶上形成T型结构;然后,再对所述T型结构进行数据测定。相较于现有技术,本发明是通过直接测量光刻胶T型形貌来检测净化间内空气中杂质对DUV光刻工艺的影响,检测获得的数据简单直观,且检测成本较低。
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