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化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的多步方法

754   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:06:50
本发明提供了一种对半导体晶片上的氧化硅和氮化硅进行抛光的方法,包括以下步骤,用第一含水组合物对氧化硅平化,该含水组合物包含0.01-5重量%的羧酸聚合物,0.02-6重量%的磨料,0.01-10重量%的聚乙烯基吡咯烷酮,0-5重量%的阳离子性化合物,0-1重量%的邻苯二甲酸和盐,0-5重量%的两性离子化合物,余量为水,其中该聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量为100-1000000克/摩尔。该方法进一步包括,检测平化终点,并用第二含水组合物清除氧化硅,该含水组合物包含0.001-1重量%的季铵化合物,0.001-1重量%的邻苯二甲酸及其盐,0.01-5重量%的羧酸聚合物,0.01-5重量%的磨料,余量为水。
声明:
“化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的多步方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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