提供了用于在CMP加工中实时检测差错的方法和装置。方法包括:在用于化学机械抛光(“CMP”)的工具中的晶圆载具上设置半导体晶圆;放置晶圆载具以使半导体晶圆的表面接触在旋转压板上安装的抛光垫;在旋转抛光垫上分配研磨剂,同时保持半导体晶圆的表面与抛光垫接触,以在半导体晶圆上实施CMP工艺;实时从CMP工具接收信号至信号分析器中,所述信号对应于振动、声音、温度、或压力;比较来自CMP工具的接收信号和采用CMP工具进行正常加工时的预期接收信号;以及输出比较的结果。公开了CMP工具装置。
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