一种化学机械抛光仿真的方法和装置,其中,所述CMP仿真的方法包括:输入
芯片版图,芯片版图包括多个图形;将芯片版图划分初始网格,初始网格包括多个子网格,计算初始网格的图形特征;对初始网格进行移位,产生移位网格,计算初始网格和移位网格的平均图形特征;根据初始网格的图形特征,进行CMP仿真,对芯片版图上存在的第一热点进行定位;根据所述平均图形特征以及定位的第一热点,对初始网格的图形特征进行修正,产生优化网格的图形特征;根据优化网格的图形特征,进行CMP仿真,对芯片版图上存在的第二热点进行定位。本发明实施例的方法,考虑到近邻子网格间的长程关联效应,减少了错误热点的预测数量,提高了CMP仿真的准确性。
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