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赭曲霉毒素A光电化学传感器的制备方法及应用

734   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:03:21
本发明涉及一种赭曲霉毒素A光电化学传感器的制备方法及应用。该方法利用BiVO4/TiO2作为基底材料,其优良的导电性和大的表面积能有效减小背景信号。采用直接滴加AgNO3和Na2S的方法,在BiVO4表面原位生成高光电转换率的窄带隙Ag2S光电活性材料,通过可见光波长的LED灯照射Ag2S,产生光电流信号。载体BiVO4/TiO2与Ag2S能带匹配度良好,能进一步提高Ag2S的光电转换信号,从而实现了赭曲霉毒素A的高灵敏测定。
声明:
“赭曲霉毒素A光电化学传感器的制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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