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制备化学计量比非晶GaAs薄膜材料的方法

916   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:03:21
大面积的非晶态GaAs薄膜已经由简单和廉价磁控溅射技术制备出来了,并且非晶态GaAs薄膜具有半导体特性,但是非晶GaAs薄膜中存在组分偏析所引入大量的结构缺陷,阻碍非晶GaAs材料应用于光电子器件。我们发明的目的在于提供一种化学计量比非晶GaAs薄膜的溅射制备方法,在保证非晶GaAs薄膜的完全无序结构前提下,防止组分偏析,提高非晶GaAs薄膜的光电性能和表面形貌,这为研制短波红外探测器、太阳能电池以及其他非晶态光电子器件奠定基础。
声明:
“制备化学计量比非晶GaAs薄膜材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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