本发明属于材料科学技术领域,具体为一种基于等离子体化学增强气相沉积直接合成大面积氧化
石墨烯的方法。本发明具体步骤包括:对衬底进行预处理;利用等离子体增强化学气相沉积系统在衬底上生长氧化石墨烯;生长结束后将氧化石墨烯取出;合成的关键之处在于氧原子的引入与控制。本发明方法反应时间短,反应温度低,且氧化石墨烯的含氧量可控。与现有的化学法合成的氧化石墨烯相比,本方法合成的氧化石墨烯具有尺寸大,均匀性好的特点,可用在气体探测、光电器件等领域。
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