一种控制化学气相沉积腔室内的基底加热的装置及方法,尤其适用于MOCVD反应室。装置包括:位于腔室内的加热器;位于腔室内加热器附近且与加热器相间隔开的托盘,用于承载基底;第一温度控制单元,与承载基底的托盘表面耦接,用于测量该托盘表面温度,基于设定温度和托盘表面温度输出第一控制信号;第二温度控制单元,与第一温度控制单元相连,用于测量托盘和加热器之间区域的中间温度,还用于根据第一控制信号和中间温度输出第二控制信号;加热器,与第二温度控制单元耦接,用于根据第二控制信号进行加热。相应地,本发明还提供一种控制化学气相沉积腔室内的基底加热的方法。本发明可以获得稳定的基底温度。
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