本发明公开了一种基于化学气相沉积法的大面积二硫化钼薄膜制备方法,涉及材料制备技术领域,包括以下步骤:步骤S1:原料准备,准备衬底、钼源、硫源、氮气、硒源、丙酮溶液、去离子水、氮气枪、磁控溅射设备、双温区管式气氛炉、瓷舟、氯化钾和机械泵;步骤S2:清洗,将衬底置于丙酮溶液中清理2‑4分钟;步骤S3:预处理;步骤S4:准备工作;步骤S5:运行;步骤S6:保温冷却;步骤S7:检验。本发明具备了通过磁控溅射法和化学气象沉积法的组合形式,使得不仅可对成膜的厚度和规格进行调整,同时可以实现大面积连续性的合成二硫化钼薄膜,并可对薄膜的结构加以控制,具有实用性更佳的效果。
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