本发明涉及一种
多晶硅环的化学机械抛光方法,依次包括将硅环和无纺布抛光垫安装在抛光机上、粗抛、精抛步骤;粗抛中的粗抛液的成分为
氧化铝(0.23‑0.26μm)10%‑40%,金刚石(0.32‑0.34μm)0.2%‑5%,水60%‑90%;精抛中的精抛液成分为胶体SiO2(90‑120nm)0.8%‑1%,SiO2(40‑45nm)0.3%‑0.5%,哌嗪0.08%‑0.12%,氢氧化四甲基铵0.01%‑0.05%,纯水>98%;在粗抛过程中将含有纳米金刚石的抛抛液分散在无纺布抛光垫上,粗抛液中氧化铝微粉能够降低硅环表面粗糙度,减小亚表面损伤层深度,提高抛光效率,在精抛过程中,精抛液能够实现化学作用与机械作用的良好匹配,保证抛光硅晶片高去除速率的同时,避免抛光雾等缺陷的形成,提高抛光后表面质量,抛光方法后硅环平面度<20μm,破损层DOD=0um,经检测抛光合格。
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