本发明提供了一种化学机械抛光方法及装置,属于半导体技术领域。化学机械抛光方法包括:利用至少两个抛光冷却阶段对硅片进行化学机械抛光,每一所述抛光冷却阶段依次包括抛光阶段和冷却阶段;其中,在所述抛光阶段使用抛光液对所述硅片进行抛光;在所述冷却阶段检测抛光盘的温度,根据所述抛光盘的温度调整冷却液的添加剂量,将所述冷却液直接通入到所述抛光盘的表面对所述抛光盘进行冷却。本发明能够提高硅片的表面平坦度。
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