本发明涉及基于双Z型异质结构建的黄曲霉毒素B1光
电化学传感器的制备方法。本发明以CoTiO3/g‑C3N4/Bi2O3作为基底材料来获取光电流,g‑C3N4与CoTiO3和Bi2O3分别可以形成Z型异质结构,这种异质结构的形成,能够有效提高光生电子的传递速度,减少电子和空穴的复合效率,极大的提高了可见光利用率。以MnO2作为标记物标记黄曲霉毒素B1第二抗体,MnO2可以催化测试底液中的抗坏血酸,实现光电流信号的有效猝灭,提高检测灵敏度,实现了对黄曲霉毒素B1的灵敏检测。其检测限为0.025 pg/mL。
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“基于双Z型异质结构建的黄曲霉毒素B1光电化学传感器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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