本发明公开了一种识别双香豆素分子印迹
电化学传感器的制备方法,其特征在于,首先将玻碳电极用
硅烷偶联剂和纳米铂修饰;然后,在反应器中,按如下组成质量百分浓度加入,二甲基丙烯酸-1,4-丁二醇酯:15~25%,丙烯酰胺:2~8%,衣康酸:4~10%,乙腈:58~71%,偶氮二异庚睛:1.0~2.0%,双香豆素:1.0~3.0%,搅拌溶解,通氮气除氧15?min,氮气氛围,55~65℃搅拌反应,即得双香豆素分子印迹聚合物;再将聚合物涂到修饰电极上,去除模板分子,制得双香豆素分子印迹电化学传感器,该传感器对双香豆素具有较高的识别性能,制得的传感器成本低、灵敏度高、特异性好、检测快速,可反复使用,本发明制备的分子印迹传感器对双香豆素的响应大大提高。
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