本发明公开了一种铜化学机械抛光(CMP)的过程控制方法,在样品晶圆中设置有多条平行铜金属线组成的检测区域,在CMP之前和之后分别测量当前批次晶圆中样品晶圆的监控区域中铜金属线的厚度,根据两者差值计算样品晶圆的平均材料移除率;将计算得到的材料移除率与目标材料移除率相比较,确定时间的补偿值;根据所述时间补偿值调整铜化学机械抛光的时间长度,并用调整后的时间长度对下一批次的晶圆进行CMP处理。本发明还公开了一种铜化学机械抛光的过程控制系统。本发明方案可以极大提高厚度测量的准确性,使时间长度的调整更为准确。
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