本发明公开了一种基于Ag+@UiO‑66‑NH2/CsPbBr3的电致化学发光分子印迹传感器及在检测呋喃西林(NFZ)中的应用,属于电致化学发光分子印迹传感技术领域。鉴于待开发一种操作简单、具有好的选择性及高灵敏度的NFZ检测方法,本发明首先提供了一种Ag+@UiO‑66‑NH2/CsPbBr3复合发光材料,然后在功能单体和NFZ存在的条件下电聚合得到MIP
复合材料,最后除去模板分子制得
电化学分子印迹材料。本发明制得的电化学分子印迹材料用于NFZ检测,具有出色的灵敏性,构建的电化学发光分子印迹传感系统的光强信号在0.5nM‑100μM中呈现良好的线性关系,LOD值为0.09μM。
声明:
“基于Ag@UiO-66-NH2/CsPbBr3的电致化学发光分子印迹传感器及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)