本发明涉及一种基于三氧化钨
复合材料的光
电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用,属于光电化学传感器领域。利用湿化学法在氟掺杂的氧化锡FTO衬底上合成矩形的WO
3纳米片,再通过化学浴沉积法将结构独特的TiO
2纳米刺紧密的结合在WO
3纳米片上,WO
3和TiO
2的能带结构和晶格结构间的双重匹配,增强了WO
3的光电响应和稳定性。再采用原位生长法结合上p型窄禁带半导体Ag
2O纳米颗粒,得到光电活性显著提高的三氧化钨复合材料WO
3/TiO
2/Ag
2O,该材料在谷胱甘肽存在的条件下,显示出优异的可见光活性。通过层层自组装方法,将黄曲霉毒素B1抗体、牛血清白蛋白和黄曲霉毒素B1抗原组装到WO
3/TiO
2/Ag
2O复合材料上,利用WO
3/TiO
2/Ag
2O优异的光电活性以及黄曲霉毒素B1抗原抗体之间的特异性结合,实现对黄曲霉毒素B1的超灵敏检测,这对黄曲霉毒素B1的
分析检测具有重要的意义。
声明:
“基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)